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mos 工作原理

MOS管的原理: 它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂...

NMOS晶体管的工作原理: 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底(提供大量可以动空穴)上,制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源),并用金属铝引出两个电极,分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二...

PMOS管应用原理 PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底,其中的多数载流子是空穴,少数载流子是电子,源漏区的掺杂类型是P型,所以,PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压,亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子,而在衬底感...

作用目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管,而...

MOS晶体管,也就是绝缘栅场效应晶体管,又叫金属-氧化物-半导体场效应晶体管,利用半导体的场效应,进行信号放大。就是利用栅极控制电压形成的电场,来控制沟道里感应电荷的多少,进而改变导电沟道的状态,达到控制漏极电流的效果。根据制作方法...

我个人理解,你按下面的顺序进行学习: 1、深刻理解PN结的形成和含义,从半导体物理特性开始,而不是仅仅停留在知道PN结有单向导电性和电容特性上。很多人对这方面不重视,但在我看来,归根到底,模电学不好,就是跟前面的物理基础没打好有关。 ...

这里介绍很清楚,请链接;http://baike.so.com/doc/4295913.html

有一定的相似性,但不一样。 简单的说: MOS管是电压控制器件,三极管是电流控制器件。 复杂的说: 两者都有点类似受控电流源,MOS管是栅源电压控制的电流源,三极管是基极电流控制的电流源。 二楼的说法不正确,能看懂会用三极管,只是因为三极...

三极管工作原理:http://www.360doc.com/content/10/0310/20/1880_18280837.shtml mos管工作原理:http://wenku.baidu.com/view/b7b674ce08a1284ac850436e.html

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不...

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